Des ingénieurs des universités de l'Utah et du Minnesota ont découvert que deux matériaux isolants, une fois mis en interface, transportaient l'électricité cinq fois mieux que le silicium. Ceux-ci pourraient rendre les transistors plus petits et plus économes en énergie.

Une équipe dirigée par les professeurs Berardi Sensale-Rodriguez, de l’université de l’Utah, et Bharat Jalan, de l’université du Minnesota, a découvert un moyen astucieux de parvenir à un matériau conducteur pour l’électronique.

Pris séparément, le titanate de strontium (STO) et le titanate de néodyme (NTO) sont deux isolants — ils ne conduisent pas l’électricité. Mais lorsqu’ils interagissent, les liaisons moléculaires des deux oxydes se réarrangent, produisant ainsi d’importantes quantités d’électrons libres. Le nombre d’électrons dégagés est alors cent fois plus élevé que dans un semi-conducteur, et l’électricité est cinq fois mieux conduite que dans du silicium.

C’est fondamentalement une voie différente vers l’électronique de puissance

L’interface entre le STO et le NTO pourrait à terme remplacer le nitrure de gallium utilisé dans les transistors liés à l’alimentation des appareils électriques. Par exemple, les cordons d’alimentation des ordinateurs portables pourraient se passer de leur encombrant « gros boîtier » au profit de composants bien plus petits, intégrés dans l’ordinateur lui-même.

Ces nouveaux transistors, plus efficaces énergétiquement, pourraient aussi réduire le gaspillage électrique tout en limitant la surchauffe des appareils. « C’est fondamentalement une voie différente vers l’électronique de puissance, et les résultats sont vraiment passionnants, assure le professeur Sensale-Rodriguez. Mais nous devons encore poursuivre nos recherches. »

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